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闪存是一种非易失性存储器芯片,用于存储和在个人计算机和数字设备之间传输数据。它具有电子重编程和擦除的能力。常见于usb闪存驱动器,数码相机和固态驱动器。
闪存是一种非易失性存储器芯片,用于存储和在个人计算机(pc)和数字设备之间传输数据。它具有电子重编程和擦除的能力。它常见于usb闪存驱动器,mp3播放器,数码相机和固态驱动器。
闪存是一种电子可擦除可编程只读存储器(eeprom),但也可以是独立的存储器存储设备,例如usb驱动器。eeprom是一种使用电子设备擦除或写入数字数据的数据存储设备。闪存是一种独特类型的eeprom,可以用大块编程和擦除。
闪存结合使用浮栅晶体管来存储数据。浮栅晶体管或浮栅mosfet(fgmos)类似于mosfet,mosfet是用于放大或切换电子信号的晶体管。浮栅晶体管是电隔离的并且在直流(dc)中使用浮动节点。闪存类似于标准mofset,除了晶体管有两个门而不是一个。
闪存最早于1980年推出,由东芝公司(tosbf)的发明人兼中级工厂经理fujiomasuoka博士开发。闪存是以能够在闪存中擦除数据块的能力命名的。masuoka博士的目标是在电源关闭时创建一个保存数据的存储芯片.masuoka博士还发明了一种称为内存的存储器。samos开发了1mb动态随机存取存储器(dram)。1988年,英特尔公司生产出第一款商用nor型闪存芯片,取代了包含基本输入/输出操作的pc主板上的永久只读存储器(rom)芯片。系统(bios)。
闪存芯片由nor或nand门组成。nor是英特尔于1988年创建的一种存储单元.nor门接口支持完整地址,数据总线和对任何存储单元的随机访问。nor闪存的保存期限为10,000到1,000,000次写入/擦除周期。
nand是由东芝在nor生产一年后开发的。它更快,每比特成本更低,每个单元需要更少的芯片面积并且增加了弹性。nand门的保存期限约为100,000次写入/擦除周期。在nor门闪光中,每个单元的一端连接到位线,另一端连接到地。如果字线为高,则晶体管继续降低输出位线。
闪存有许多功能。它比eeprom便宜得多,并且不需要用于固态存储的电池,例如静态ram(sram)。它是非易失性的,具有非常快的访问时间,并且与硬盘驱动器相比具有更高的动态冲击阻力。闪存非常耐用,可承受强压或极端温度。它可用于各种应用,如数码相机,移动电话,笔记本电脑,pda(个人数字助理),数字音频播放器和固态硬盘(ssd)。
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